Escenario de aplicación de unidades criogénicas de separación de aire:
Industria electrónica y de semiconductores
La planta criogénica de separación de aire desempeña un papel vital en la industria electrónica y de semiconductores, particularmente en la producción de nitrógeno y oxígeno de alta pureza.En este escenario de aplicación, la planta de oxígeno/nitrógeno/argón se emplea para separar el aire atmosférico en sus componentes primarios mediante destilación criogénica.El nitrógeno y el oxígeno resultantes se purifican aún más para alcanzar los niveles de pureza requeridos por la industria electrónica.El nitrógeno de alta pureza se utiliza para diversas aplicaciones, incluidas la inertización, la purga y como gas portador en la producción de componentes electrónicos.El oxígeno, por otro lado, se emplea para procesos de oxidación, dopaje en fase gaseosa y como fuente de especies reactivas de oxígeno en la fabricación de semiconductores.La capacidad de la planta de separación criogénica de aire para entregar gases de alta pureza con bajos niveles de impurezas garantiza la confiabilidad y calidad de los procesos de producción de semiconductores y electrónicos.
Unidad de separación de aire de tamaño mediano y grande con hoja de datos de argón |
Modelo | Capacidad de producción | Pureza o impureza de producción |
Oxígeno
(Nm³/h) | Nitrógeno
(Nm³/h) | Argón
(Nm³/h) | Oxígeno
(%) | Nitrógeno
(ppmO2) | Argón |
KDONAr-3200/6400/100 | 3200 | 6400 | 100 | 99.6 | ≤10 | ≤1.5PPM O2+3PPM N2 |
KDONAr-6000 / 12000 / 180 | 6000 | 12000 | 180 | 99.6 | ≤10 | ≤1.5PPM O2+3PPM N2 |
KDONAr-10000 / 20000 / 330 | 10000 | 20000 | 330 | 99.6 | ≤10 | ≤1.5PPM O2+3PPM N2 |
KDONAr-20000 / 40000 / 650 | 20000 | 40000 | 650 | 99.6 | ≤10 | ≤1.5PPM O2+3PPM N2 |
KDONAr-40000 / 80000 / 1200 | 40000 | 80000 | 1200 | 99.6 | ≤10 | ≤1.5PPM O2+3PPM N2 |
KDONAr-80000 / 130000 / 2400 | 80000 | 130000 | 2400 | 99.6 | ≤10 | ≤1.5PPM O2+3PPM N2 |
